Drotoff

Покупка GlobalFoundries обойдется TSMC в 12 млрд долларов

По данным источника, в отрасли контрактного полупроводникового производства могут в ближайшее время произойти радикальные перемены. Как утверждается, компании TSMC и GlobalFoundries ведут переговоры о слиянии. Точнее говоря, покупателем выступает TSMC, хотя предприятие, которое получится в результате сделки, вероятнее всего, будет носить название TSMC-GlobalFoundries. Сумма сделки оценивается в 12 млрд долларов.

Информация, опубликованная Reuters, поступила от двух источников, осведомленных о состоянии дел. Поскольку переговоры носят не публичный характер, информаторы пожелали сохранить анонимность.

В случае успеха на переговорах, сделка должна будет пройти обязательную в таких случаях процедуру одобрения в регулирующих органах всех стран, интересы которых она затрагивает.

Сделка отражает тенденцию укрупнения производства, характерную для зрелых рынков, к которым принадлежит рынок производства полупроводниковой продукции. Уже сейчас разработка и освоение нового техпроцесса или строительство новой фабрики под силу всего нескольким участникам рынка. Среди них - компания Intel, в последнее время все активнее заявляющая о своем намерении заняться контрактным производством. Объединение с GlobalFoundries позволит компании TSMC, и так являющейся крупнейшим мировым контрактным производителем микросхем, укрепить свое первенство.

По итогам 2012 года (отчеты за 2013 год еще не опубликованы) TSMC принадлежало 49,5% рынка . Компания GlobalFoundries вытеснила со второго места UMC, заняв 12,1% рынка. Доля UMC оказалась равна 10,4%.

Drotoff

Ученые IBM нашли способ использования литографии для выпуска полупроводниковой продукции по нормам «1 нм и менее»

Развитие технологии полупроводникового производства является хорошим примером того, как барьеры, казавшиеся непреодолимыми, раз за разом отступают под натиском научного прогресса. Долгое время считалось, что производство микросхем по нынешним техпроцессам возможно лишь до того момента, пока технологические нормы превышают несколько десятков нанометров. Вместе с тем, уже сейчас для некоторых видов продукции освоены нормы менее 20 нанометров, а по последним оценкам, технология иммерсионной литографии с многократным формированием структур и использованием жесткого ультрафиолетового излучения сможет «обслужить» еще несколько технологических этапов - пока нормы не приблизятся к 9-10 нм.

Оспорить этот прогноз удалось ученым, работающим в исследовательском центре IBM в Цюрихе. Исследуя микроструктуры, включающие наряду с атомами кремния, преимущественно используемого сейчас в полупроводниковом производстве, атомы углерода, ученые обнаружили способность углерода «сжимать» кремниевую кристаллическую решетку. В своем эксперименте, отчет о котором будет опубликован в новом номере издания Applied Materials, специалисты IBM с помощью традиционной литографии формировали структуры, соответствующие нормам 10 нм, а затем, используя осаждение углеродной пленки, уменьшали их примерно в 5 раз. По словам участников проекта, возможно и дальнейшее уменьшение, эквивалентное переходу на технологические нормы «1 нм и менее».



Исследователи образно сравнивают открытый ими механизм с тем, как соль, высыхая, стягивает кожу после купания в морской воде. Нанесенная на поверхность кристалла углеродная пленка подвергается воздействию температуры, в результате в ней происходят структурные изменения: расстояние между атомами уменьшается и пленка сжимается, сжимая кристалл. После «сушки» углеродная пленка удаляется, а кристаллическая решетка кремния, не обладающая необходимой эластичностью, остается в уменьшенном состоянии.

Дополнительным выигрышем может стать выборочное удаление углеродной пленки, при котором оставшиеся участки могут играть роль проводников.

Сроки коммерциализации разработки ученые пока не называют, ограничиваясь общей оценкой - по их словам, дополнительные исследования могут занять от пяти до десяти лет.

Drotoff

Samsung и GlobalFoundries предложили заказчикам единую 14-нанометровую технологию FinFET на фабриках в США и Корее

Компании Samsung Electronics и GlobalFoundries объявили о стратегическом сотрудничестве, которое позволит им предложить свои производственные возможности как единые мощности по выпуску полупроводниковой продукции по 14-нанометровой технологии FinFET. Впервые наиболее передовой техпроцесс будет одновременно доступен у двух контрактных производителей, что позволит обеспечить такие объемы выпуска, которые возможны только при полной совместимости производств, находящихся в разных частях планеты. Сотрудничество охватывает фабрику GlobalFoundries в США и фабрики Samsung в США и Южной Корее.

Упомянутый техпроцесс разработан специалистами Samsung и лицензирован GlobalFoundries. Он основан на технологической платформе, которая уже используется для серийного выпуска однокристальных систем с высокой энергетической эффективностью. Особенностью этого техпроцесса является использование объемных транзисторов с полностью обедненным затвором, позволившее преодолеть ограничения, свойственные ранее использовавшимся планарным транзисторам. Полученный в результате прирост быстродействия достигает 20%, снижение энергопотребления - 35%, уменьшение площади кристалла - 15% по сравнению с планарной 20-нанометровой технологией.

Как утверждают партнеры, они предложили первую платформу FinFET, обеспечивающую реальное уменьшение площади кристалла по сравнению с планарной 20-нанометровой технологией. Нормам 16 нм соответствуют участки кристалла, на которых формируются логические элементы и ячейки SRAM. При этом внутренние соединения формируются по той же схеме, которая используется при 20-нанометровом производстве. Это позволяет получить преимущества FinFET при одновременном снижении рисков и сокращении времени выхода на рынок.

Потенциальные заказчики уже имеют доступ к документации, необходимой, чтобы начать проектирование микросхем, рассчитанных на выпуск по 14-нанометровой технологии FinFET. Партнеры рассчитывают начать серийный выпуск этой продукции в конце 2014 года.

Drotoff

Опубликован отчет TSMC за первый квартал 2014 года

Компания TSMC, являющаяся крупнейшим контрактным производителем полупроводниковой продукции, опубликовала отчет за первый квартал 2014 года.

По итогам отчетного периода консолидированный доход составил 4,9 млрд долларов, что на 11,6% больше дохода за первый квартал 2013 года. Чистый доход (прибыль до выплаты дивидендов) оказался равен 1,59 млрд долларов, что на 21% больше показателя годичной давности.

По сравнению с показателями TSMC в четвертом квартале 2013 года доход вырос на 1,7%, прибыль - на 6,8%.

Приведенные значения позволяют предположить, что улучшился показатель рентабельности (валовая прибыль), рассчитываемый как разница между выручкой и себестоимостью реализованной продукции, отнесенная к выручке. Данные из отчета подтверждают это предположение: если год назад валовая прибыль была равна 45,8%, то сейчас она достигла 47,5%.

Производитель отмечает, что доля дохода, обеспечиваемая выпуском 28-нанометровой продукции, достигла 34%. Для сравнения: год назад она была равна 24%. Одновременно с 23% до 21% уменьшилась доля продукции, выпускаемой по нормам 40 и 45 нм.

Drotoff

Toshiba стала участником экосистемы Globalsolutions в качестве партнера по выпуску ASIC

На сайте GlobalFoundries появилось сообщение о том, что компания Toshiba стала участником созданной GlobalFoundries экосистемы Globalsolutions в качестве партнера по выпуску ASIC (специализированные интегральные схемы). Выступая глобальным партнером, Toshiba сможет поставлять заказчикам решения категорий ASIC и Fit Fast Structured Array (FFSA), используя производственные возможности GlobalFoundries.

Соглашение предусматривает участие в изготовлении чипов разных проектов, скомпонованных на общей пластине (multi-project wafer, MPW), и серийный выпуск чипов по всем техпроцессам GlobalFoundries, включая самые передовые.

Впрочем, первое время партнеры сосредоточатся на выпуске FFSA по 65-нанометровому и 40-нанометровому техпроцессам, оптимизированным по критерию энергопотребления. Позже будет освоен выпуск программируемых массивов по 28-нанометровой технологии.

Напомним - о том, что Toshiba будет заказывать выпуск микросхем FFSA у GlobalFoundries , стало известно примерно месяц назад.

Микросхемы FFSA представляют собой базовые чипы, конфигурирование которых выполняется несколькими слоями металлизации. Другими словами, в них объединены черты FPGA и ASIC, за счет чего удается уменьшить стоимость и сократить сроки разработки по сравнению с ASIC, одновременно получив лучшие показатели производительности и энергопотребления по сравнению с FPGA. Для изделий, выпускаемых большими тиражами, заказчики могут использовать библиотеки объектов интеллектуальной собственности Toshiba, чтобы проектировать специализированные однокристальные системы. Используя технологию FFSA после того, как завершена разработка базового продукта, заказчик может быстро получить новые изделия на его основе, снизив стоимость проектирования.

Drotoff

Toshiba начинает серийный выпуск первой в мире 15-нанометровой флэш-памяти NAND

Компания Toshiba объявила о разработке первой в мире 15-нанометровой технологии полупроводникового производства, которая будет использоваться для выпуска чипов флэш-памяти типа MLC NAND плотностью 128 Гбит (16 ГБ). Массовое производство по новой технологии начнется в конце апреля на предприятии Fab 5 в Йоккаити на юго-востоке Японии. Новая технология здесь сменила 19-нанометровую технологию второго поколения, которая до настоящего момента была наиболее передовой в активе Toshiba. Сейчас на Fab 5 идет строительство второй линии, и там тоже будет внедрена новая технология.



Использование нового техпроцесса и улучшение периферийных цепей позволило Toshiba получить наименьший размер чипа в классе. По скорости записи новая память не отличается от памяти, выпускаемой по 19-нанометрвому техпроцессу второго поколения, а по скорости передачи данных, достигающей до 533 Мбит/с, превосходит ее в 1,3 раза.

Сейчас специалисты Toshiba работают над использованием 15-нанометровой технологии для выпуска памяти TLC NAND. Серийный выпуск этой памяти должен начаться в июне. Одновременно компания планирует предложить контроллеры для встраиваемых решений на базе флэш-памяти NAND и продукты на базе TLC NAND для смартфонов и планшетов, а впоследствии расширить приложение за счет SSD для ноутбуков и серверов.

Drotoff

Чистый квартальный доход Broadcom за год сократился с 2,01 до 1,98 млрд долларов

Как и другие производители, у которых 31 марта завершился первый квартал 2014 финансового года, на этой неделе свой квартальный отчет опубликовала компания Broadcom.

Чистый доход Broadcom за первые три месяца года составил 1,98 млрд долларов. Это на 3,9% меньше, чем в предшествующем квартале, когда чистый доход был равен 2,06 млрд долларов, и на 1% меньше, чем в первом квартале 2013 года, когда Broadcom получила 2,01 млрд долларов дохода .

Прибыль, рассчитанная по методике GAAP, в первом квартале 2014 года оказалась равна 165 млн долларов. Для сравнения: в четвертом квартале 2013 года этот показатель был равен 168 млн долларов, а в первом квартале 2013 года - 191 млн долларов. Тенденция сокращения прибыли видна и при подсчете не по GAAP. В этом случае прибыль в первом квартале 2014 года равна 318 млн долларов, в четвертом квартале 2013 года - 366 млн долларов, в первом квартале 2013 года - 400 млн долларов.

Похоже, что компания, специализирующаяся на полупроводниковых решениях для проводной и беспроводной связи, постепенно сдает позиции.